Número de Producto del Fabricante:
TSM10NC65CF C0G
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM10NC65CF C0G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 10A ITO220S
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 45W (Tc) Through Hole ITO-220S
Inventario:
1 Pcs Nuevos Originales En Stock
12897297
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ENVIAR
TSM10NC65CF C0G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
900mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1650 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
ITO-220S
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
TSM10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
TSM10NC65CFC0G
TSM10NC65CF C0G-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TSM10NC65CF
FABRICANTE
Taiwan Semiconductor Corporation
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
TSM10NC65CF-DG
PRECIO UNITARIO
1.38
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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